昆山唯美电子有限公司代理供应 ABB 可控硅/晶闸管
ABB可控硅 5STP 系列普通晶闸管其规格型号近百种，可满足大功率的工业生产，电气传动领域的需要，尤其在电力系统中， 这些元件广泛应用于高压直流输电（HVDC）、功率励磁柜,整流柜,充电机 ,同步电动机励磁整流柜,交流变频电机,电磁除铁器,直流电源,晶闸管投切电容,可控串联补偿装置（TCSC，Thyristor Controlled Series Compensation）,静止无功补偿器(SVC),晶闸管控制电抗器(TCR),晶闸管投切电容器组,高压晶闸管投切电容器组, ,电机,动力制动电源柜 ,无功补偿,电气传动 ,交流输电、,高压变频 、励磁 ,高压软启动、电解直流电源、PWM、矿井提升机、斩波 、谐波抑制装置,绞车电控,矿用皮带机,电镀电源, 变频电源等各种整流、逆变和变频领域.等场合
ABB半导体公司生产的大功率晶闸管具有很低的通态压降，可以选择合适的Qrr和VT的参数匹配，供串联或并联使用，应用于大功率的工业生产和电气传动领域。其产品成功地使用在中国的高压直流输电线路中。如葛洲坝到上海的直流输电线、三峡到常州的直流输电线，都已经使用或将要使用ABB半导体产品。它的最大电压容量为8500V，最大直径为5英寸，通态平均电流3000A。
ABB晶闸管主要用于，交流变直流或直流变交流时的阶段控制电流阀，此时以低频运行（通常主要围绕交流线路频率）。在引导状态时，由于晶闸管的特点是损耗非常小，因而它是有效控制较高电流及能量的理想设备。
1600V-1800V
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
ABB 5STP 10D1601 1600 969 15 60/34/H14.6
ABB 5STP 20F1601 1600 1901 27.3 75/47/H26
ABB 5STP 34H1601 1600 3370 49 102/63/H26
ABB 5STP 07D1800 1800 730 9 60/34/H14.6
ABB 5STP 09D1801 1800 932 13.7 60/34/H14.6
ABB 5STP 18F1800 1800 1660 21 75/47/H26
ABB 5STP 18F1801 1800 1825 26.2 75/47/H26
ABB 5STP 27H1800 1800 3000 47 102/63/H26
ABB 5STP 30H1801 1800 3108 47 102/63/H26
ABB 5STP 50Q1800 1800 6100 94 150/100
2200V
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
(V) (A) (kA) (mm)
ABB 5STP 09D2201 2200 862 12 60/34/H14.6
ABB 5STP 17F2201 2200 1702 25.5 75/47/H26
ABB 5STP 29H2201 2200 2855 45 102/63/H26
2800V 
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
(V) (A) (kA) (mm)
ABB 5STP 06D2800 2800 620 8 60/34/H14.6
ABB 5STP 08D2801 2800 793 10.6 60/34/H14.6
ABB 5STP 16F2800 2800 1400 18 75/47/H26
ABB 5STP 16F2801 2800 1512 23.6 75/47/H26
ABB 5STP 24H2800 2800 2625 43 102/63/H26
ABB 5STP 27H2801 2800 2670 43 102/63/H26
ABB 5STP 33L2800 2800 3740 60 120/78/H26.5
ABB 5STP 45N2800 2800 5080 75 150/100/H35
ABB 5STP 45Q2800 2800 5490 75 150/100/H26
4200V
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
ABB 5STP 04D4200 4200 470 6.4 60/34/H14.6
ABB 5STP 12F4200 4200 1150 15 75/47/H26
ABB 5STP 18H4200 4200 2075 32 102/63/H26
ABB 5STP 28L4200 4200 3170 52 120/78/H26.5
ABB 5STP 38N4200 4200 3960 60 150/100/H35
ABB 5STP 38Q4200 4200 4275 60 150/100/H26
5200V
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
(V) (A) (kA) (mm)
ABB 5STP 04D5200 5200 440 5 60/34/H14.6
ABB 5STP 17H5200 5200 1975 29 102/63/H26
ABB 5STP 25L5200 5200 2760 42 120/78/H26.5
ABB 5STP 25M5200 5200 2537 42 120/78/H35
ABB 5STP 34N5200 5200 3600 55 150/100/H35
ABB 5STP 34Q5200 5200 3875 55 150/100/H26
ABB 5STP 52U5200 5200 4120 85.2 172/110/H26
6500V-8500V
Part Number VDRM ITAV ITSM 法兰/台面/高
(V) (A) (kA) (mm)
ABB 5STP 03D6500 6500 385 4.5 60/34/H14.6
ABB 5STP 08F6500 6500 830 11.8 75/47/H26
ABB 5STP 08G6500 6500 720 11.8 75/47/H26
ABB 5STP 12K6500 6500 1370 22 102/63/H35
ABB 5STP 18M6500 6500 1800 32 120/78/H35
ABB 5STP 26N6500 6500 2810 45 150/100/H35
ABB 5STP 42U6500 6500 3460 71.4 172/110/H26
ABB 5STP 03X6500 6500 350 4.5 60/34/H35
ABB 5STP 12N8500 8500 1200 35 150/100/H35
ABB 5STP10D1601 ABB 5STP16F2800 ABB 5STP25L5200
ABB 5STP20F1601 ABB 5STP16F2801 ABB 5STP25M5200
ABB 5STP34H1601 ABB 5STP24H2800 ABB 5STP34N5200
ABB 5STP07D1800 ABB 5STP27H2801 ABB 5STP34Q5200
ABB 5STP09D1801 ABB 5STP33L2800 ABB 5STP52U5200
ABB 5STP18F1800 ABB 5STP45N2800 ABB 5STP03D6500
ABB 5STP18F1801 ABB 5STP45Q2800 ABB 5STP08F6500
ABB 5STP27H1800 ABB 5STP04D4200 ABB 5STP08G6500
ABB 5STP30H1801 ABB 5STP12F4200 ABB 5STP12K6500
ABB 5STP50Q1800 ABB 5STP18H4200 ABB 5STP18M6500
ABB 5STP09D2201 ABB 5STP28L4200 ABB 5STP26N6500
ABB 5STP17F2201 ABB 5STP38N4200 ABB 5STP42U6500
ABB 5STP29H2201 ABB 5STP38Q4200 ABB 5STP03X6500
ABB 5STP06D2800 ABB 5STP04D5200 ABB 5STP12N8500
ABB 5STP08D2801 ABB 5STP17H5200 ABB 5STP27L1800
ABB 5STP28M4200
TV989-2700-28NKO
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T1XXX-24 rep1.TV918-1500-24
T1XXX-24 T2XXX-18 可控硅
T1XXX-24NKO T2XXX-18NKO
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赛米控（西门康）SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列产品，本公司可直接向德国订货，货源稳 交期快 量大更优惠！保证每颗型号都为原装正品新件。欢迎新老客户咨询！所报价格均含税含运费价格！如果不明白欢迎来电咨询，谢谢！原装正品、长期现货、三包承若 IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 使用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 保管时的注意事项 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。 IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。
