有赖UX:3芯片技术，新的Oslon Black Flat即便在高电流之下都能有极明亮的光输出，在1A时可达500 lm。新版LED的高亮度是从非常小巧的封装发射出来，它的封装尺寸仅有3.1 mm x 3.75 mm，高度仅有0.5 mm。欧司朗光电半导体德国总部汽车LED市场部的Florian Rommen解释道：“有了新的Oslon Black Flat，我们可以在产品组合中加入比先前版本更小巧的LED，设计出更小巧的头灯系统。”这种双芯片的LED，适合所有头灯功能，主要用于光导引的昼行灯，通常也可用于近光灯和远光灯。
Oslon Black Flat LED现在推出双晶片版本。 照片提供：欧司朗
表面黏着技术省下成本
新版的Oslon Black Flat是表面黏着技数组件，可以附着在其他电子组件上，只要附加在电路板上，便可在标准焊接流程中进一步加工。Rommen 继续补充：“这种焊接能力，使得LED可以在简单、标准化的流程中加工，减少了加工流程的复杂性，省下大量的时间与成本。”
稳定性佳且光线分布同构型高
Oslon Black Flat的其他益处，是光线分布同构型高、对比率高且周期稳定性佳。黑色的QFN (Quad Flat No Leads)的连结，在高温循环覆载期间也以类似的方式延伸到电路板上。因此，焊接点非常稳固，而且需承受的外力较小。
特殊的黏着技术再加上精巧的封装与陶瓷转换器，创造出非常一致的光线分布，以及绝佳的路况对比：芯片封胶直接在封装内进行，可在光线中形成明确的明/暗界线，而两个封装相关芯片的高对比度照明表面，也有帮助。
Oslon Black Flat现在已有样本，正在计划2013年底时大量生产。
绝佳的周期稳定性、同构型高的光线分布、精巧的体积以及其他优点：新的欧司朗光电半导体双芯片LED有多种优势。 照片提供：欧司朗
Oslon Black Flat (KW H2L531) 的技术资料：
| 尺寸 | 3.1 mm x 3.75 mm x 0.5 mm |
| 亮度 | 1A时> 500 lm |
| 一般的电子热阻 | 1.2 K/W |
| 芯片技术 | UX:3，第R代强化 |
| 芯片间的距离 | 100 μm (0.1 mm) |
| 其他信息 | QFN 多芯片 LED |
