赛米控(西门康)SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列产品,本公司可直接向德国订货,货源稳 交期快 量大更优惠!保证每颗型号都为原装正品新件。欢迎新老客户咨询!?xml:namespace>
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快恢复、超快恢复二极管的结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 英飞凌二极管模块:
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