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表格格式:
参数名称 特性 频率范围 5~26MHz 工作电压 5.0V、3.3V 频率稳定度(20年) ≦±0.46ppm Holdover Stability ≦±0.37ppm(24Hours) 工作电流 ≦6mA(CMOS)、≦3.5mA(正弦波) 输出电平(CMOS) ≧90%VDD(“1”)、≦10%VDD(“0”)、45%~55%(占空比) 输出电平(正弦波) 0.8VP-P 负载 15PF(CMOS)、10KΩ//10PF(正弦波) 控制电压范围 0.5~2.5V 牵引范围 ≧±5.0ppm 输入阻抗 ≧100KΩ 开始时间 ≦2mSec 相位噪声@12.8MHz -120dBc/Hz(100Hz),-148dBc/Hz(10KHz) 工作温度 -20~+70℃、-40~+85℃ 温度频差 ≦±0.28ppm 储存温度 -55~+125℃
文字描述:
频率范围:5~26MHz;工作电压:5.0V、3.3V;频率稳定度(20年):≦±0.46ppm;Holdover Stability:≦±0.37ppm(24Hours);工作电流:≦3.5mA(正弦波)、≦6mA(CMOS);输出电平(CMOS):≧90%VDD(“1”)、≦10%VDD(“0”)、45%~55%(占空比);输出电平(正弦波):0.8VP-P;负载:15PF(CMOS)、10KΩ//10PF(正弦波);控制电压范围:0.5~2.5V;牵引范围:≧±5.0ppm;输入阻抗:≧100KΩ;开始时间:≦2mSec;相位噪声@12.8MHz:-120dBc/Hz(100Hz),-148dBc/Hz(10KHz);工作温度:-20~+70℃、-40~+85℃;温度频差:≦±0.28ppm;储存温度-55~+125℃。