高纯氧化铟，三氧化二铟（In2O3）99.999%
1，技术对接：气相沉积CVD—采用高频加热，高纯氩气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2，气相沉积而成。
2，纯度：99.999%or 5N.
3，检验：GDMS；XRD（请见检验单）
注：所有的杂质元素（包括过渡元素，稀土元素）都低于1ppm
4，包装：三层真空包装或者充氮气保护。
5，用途：主要用于红外光纤；透明电极和电子元件材料。
6，服务：提供MSDS 及其防护措施，免费样品。
7，交期：7-10天/10Kgs.
